• PL 43 (Pietari Kalmin katu 2)

    00014

    Suomi

20032020
Jos olet muokannut tietoja Puressa, ne näkyvät pian tässä.

Henkilökohtainen profiili

Tieteenalat

  • 114 Fysiikka

Kansainvälinen ja kotimainen yhteistyö Viimeisin maatasolla toteutettu yhteistyö. Saat syvempiä lisätietoja pisteitä napsauttamalla.

Julkaisut 2003 2020

Effect of interstitial carbon on the evolution of early-stage irradiation damage in equiatomic FeMnNiCoCr high-entropy alloys

Lu, E., Makkonen, I., Mizohata, K., Räisänen, J. & Tuomisto, F., 9 tammikuuta 2020, julkaisussa : Journal of Applied Physics. 127, 025103

Tutkimustuotos: ArtikkelijulkaisuArtikkeliTieteellinenvertaisarvioitu

Evolution of phosphorus-vacancy clusters in epitaxial germanium

Vohra, A., Khanam, A., Slotte, J., Makkonen, I., Pourtois, G., Loo, R. & Vandervorst, W., 14 tammikuuta 2019, julkaisussa : Journal of Applied Physics. 125, 2, 6 Sivumäärä, 025701.

Tutkimustuotos: ArtikkelijulkaisuArtikkeliTieteellinenvertaisarvioitu

Ga vacancies and electrical compensation in beta-Ga2O3 thin films studied with positron annihilation spectroscopy

Tuomisto, F., Karjalainen, A., Prozheeva, V., Makkonen, I., Wagner, G. & Baldini, M., 2019, Oxide-Based Materials and Devices X. Rogers, DJ., Look, DC. & Teherani, FH. (toim.). Bellingham: SPIE - the international society for optics and photonics, 8 Sivumäärä (Proceedings of SPIE; Vuosikerta 10919).

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/raportissa/konferenssijulkaisussaKonferenssiartikkeliTieteellinenvertaisarvioitu

Heavily phosphorus doped germanium: Strong interaction of phosphorus with vacancies and impact of tin alloying on doping activation

Vohra, A., Khanam, A., Slotte, J., Makkonen, I., Pourtois, G., Porret, C., Loo, R. & Vandervorst, W., 14 kesäkuuta 2019, julkaisussa : Journal of Applied Physics. 125, 22, 7 Sivumäärä, 225703.

Tutkimustuotos: ArtikkelijulkaisuArtikkeliTieteellinenvertaisarvioitu

Positron annihilation spectroscopy, experimental and theoretical aspects

Slotte, J., Makkonen, I. & Tuomisto, F., 2019, Characterisation and Control of Defects in Semiconductors. Tuomisto, F. (toim.). London: Institution of engineering and technology, s. 263-288 26 Sivumäärä

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/raportissa/konferenssijulkaisussaKirjan luku tai artikkeliTieteellinenvertaisarvioitu