ALD of HfO2 using a new organometallic Hf precursor, The AVS Topical Conference on Atomic Layer Deposition (ALD 2006)

A.C. Jones; R. O’Kane; F. Song; P. Heys; P.A. Williams; Lauri Niinistö; Jaakko Niinistö; M. Putkonen; R. Hammond; A. Bacon

ALD of HfO2 using a new organometallic Hf precursor, The AVS Topical Conference on Atomic Layer Deposition (ALD 2006)

A.C. Jones, R. O’Kane, F. Song, P. Heys, P.A. Williams, Lauri Niinistö, Jaakko Niinistö, M. Putkonen, R. Hammond, A. Bacon

Tutkimustuotos: Kirja/raportti › Tutkimusraportti

Alkuperäiskieli	englanti

Tila	Julkaistu - 2006
Julkaistu ulkoisesti	Kyllä
OKM-julkaisutyyppi	D4 Julkaistu kehittämis- tai tutkimusraportti taikka -selvitys

HelsinkiALD
Putkonen, M. (Johtaja), Ritala, M. (Johtaja), Mäntymäki, M. (Operaattori), Kemell, M. (Operaattori), Vehkamäki, M. (Operaattori) & Heikkilä, M. (Operaattori)
Kemian osasto
Laitteistot/tilat: Tutkimuslaboratorio

Siteeraa tätä

@book{373efc22aaa641819efa38941b16f5bf,

title = "ALD of HfO2 using a new organometallic Hf precursor, The AVS Topical Conference on Atomic Layer Deposition (ALD 2006)",

author = "A.C. Jones and R. O{\textquoteright}Kane and F. Song and P. Heys and P.A. Williams and Lauri Niinist{\"o} and Jaakko Niinist{\"o} and M. Putkonen and R. Hammond and A. Bacon",

year = "2006",

language = "English",

}

TY - BOOK

T1 - ALD of HfO2 using a new organometallic Hf precursor, The AVS Topical Conference on Atomic Layer Deposition (ALD 2006)

AU - Jones, A.C.

AU - O’Kane, R.

AU - Song, F.

AU - Heys, P.

AU - Williams, P.A.

AU - Niinistö, Lauri

AU - Niinistö, Jaakko

AU - Putkonen, M.

AU - Hammond, R.

AU - Bacon, A.

PY - 2006

Y1 - 2006

M3 - Commissioned report

BT - ALD of HfO2 using a new organometallic Hf precursor, The AVS Topical Conference on Atomic Layer Deposition (ALD 2006)

ER -

ALD of HfO2 using a new organometallic Hf precursor, The AVS Topical Conference on Atomic Layer Deposition (ALD 2006)

Laitteet

HelsinkiALD

Siteeraa tätä