Atomic Layer Deposition of Emerging 2D Semiconductors, HfS2 and ZrS2, for Optoelectronics

Miika Mattinen; Georgi Popov; Marko Vehkamäki; Peter J. King; Kenichiro Mizohata; Pasi Jalkanen; Jyrki Räisänen; Markku Leskelä; Mikko Ritala

doi:10.1021/acs.chemmater.9b01688

Atomic Layer Deposition of Emerging 2D Semiconductors, HfS2 and ZrS2, for Optoelectronics

Miika Mattinen, Georgi Popov, Marko Vehkamäki, Peter J. King, Kenichiro Mizohata, Pasi Jalkanen, Jyrki Räisänen, Markku Leskelä, Mikko Ritala

Tutkimustuotos: Artikkelijulkaisu › Artikkeli › Tieteellinen › vertaisarvioitu

Alkuperäiskieli	englanti
Lehti	Chemistry of Materials
Vuosikerta	31
Numero	15
Sivut	5713-5724
Sivumäärä	12
ISSN	0897-4756
DOI - pysyväislinkit	https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.9b01688
Tila	Julkaistu - 13 elok. 2019
OKM-julkaisutyyppi	A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä, vertaisarvioitu

Tieteenalat

116 Kemia

Pääsy asiakirjaan

10.1021/acs.chemmater.9b01688

acs.chemmater.9b01688Lopullinen julkaistu versio, 4,13 MBLisenssi: CC BY

HelsinkiALD
Matti Putkonen (Johtaja), Mikko Ritala (Johtaja), Miia Mäntymäki (Operaattori), Marianna Kemell (Operaattori), Marko Vehkamäki (Operaattori) & Mikko Heikkilä (Operaattori)
Kemian osasto
Laitteistot/tilat: Tutkimuslaboratorio

Siteeraa tätä

@article{5d25c5acbacf487b94a8ec92dbf21d71,

title = "Atomic Layer Deposition of Emerging 2D Semiconductors, HfS2 and ZrS2, for Optoelectronics",

keywords = "OXIDE THIN-FILMS, TRANSISTORS, CARBON, 116 Chemical sciences",

author = "Miika Mattinen and Georgi Popov and Marko Vehkam{\"a}ki and King, {Peter J.} and Kenichiro Mizohata and Pasi Jalkanen and Jyrki R{\"a}is{\"a}nen and Markku Leskel{\"a} and Mikko Ritala",

year = "2019",

month = aug,

day = "13",

doi = "10.1021/acs.chemmater.9b01688",

language = "English",

volume = "31",

pages = "5713--5724",

journal = "Chemistry of Materials",

issn = "0897-4756",

publisher = "American Chemical Society",

number = "15",

}

TY - JOUR

T1 - Atomic Layer Deposition of Emerging 2D Semiconductors, HfS2 and ZrS2, for Optoelectronics

AU - Mattinen, Miika

AU - Popov, Georgi

AU - Vehkamäki, Marko

AU - King, Peter J.

AU - Mizohata, Kenichiro

AU - Jalkanen, Pasi

AU - Räisänen, Jyrki

AU - Leskelä, Markku

AU - Ritala, Mikko

PY - 2019/8/13

Y1 - 2019/8/13

KW - OXIDE THIN-FILMS

KW - TRANSISTORS

KW - CARBON

KW - 116 Chemical sciences

U2 - 10.1021/acs.chemmater.9b01688

DO - 10.1021/acs.chemmater.9b01688

M3 - Article

SN - 0897-4756

VL - 31

SP - 5713

EP - 5724

JO - Chemistry of Materials

JF - Chemistry of Materials

IS - 15

ER -

Atomic Layer Deposition of Emerging 2D Semiconductors, HfS2 and ZrS2, for Optoelectronics

Tieteenalat

Pääsy asiakirjaan

Laitteet

HelsinkiALD

Siteeraa tätä