Atomistic two-temperature modelling of ion track formation in silicon dioxide

Tutkimustuotos: ArtikkelijulkaisuArtikkeliTieteellinenvertaisarvioitu

Alkuperäiskielienglanti
Artikkeli16004
LehtiEurophysics Letters
Vuosikerta110
Numero1
Sivumäärä5
ISSN0295-5075
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - huhtikuuta 2015
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä, vertaisarvioitu

Tieteenalat

  • 114 Fysiikka

Siteeraa tätä