Diversity of split Ga vacancies in β-Ga2O3

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/raportissa/konferenssijulkaisussaKonferenssiartikkeliTieteellinenvertaisarvioitu

Abstrakti

Positron annihilation spectroscopy has been applied to study the vacancy-type defects in a wide range of β-Ga2O3 bulk crystals and thin films. The experimental data show that all studied samples contain high concentrations of Ga vacancies in a split vacancy configuration. These split Ga vacancies are observed also with other experimental techniques, and theoretical calculations predict that their formation energies are lower than those of other vacancy configurations. The exact structure of the split Ga vacancies appears to vary across samples.

Alkuperäiskielienglanti
OtsikkoOxide-based Materials and Devices XIV
ToimittajatDavid J. Rogers, Ferechteh H. Teherani
KustantajaWashington SPIE
Julkaisupäivä16 maalisk. 2023
Artikkeli no1242201
ISBN (elektroninen)9781510659490
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 16 maalisk. 2023
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa
TapahtumaOxide-based Materials and Devices XIV 2023 - San Francisco, Yhdysvallat (USA)
Kesto: 30 tammik. 20232 helmik. 2023

Julkaisusarja

NimiProceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
Vuosikerta12422
ISSN (painettu)0277-786X
ISSN (elektroninen)1996-756X

Lisätietoja

Publisher Copyright:
© 2023 SPIE.

Tieteenalat

  • 114 Fysiikka
  • 221 Nanoteknologia
  • 216 Materiaalitekniikka

Siteeraa tätä