Electrical compensation and cation vacancies in Al rich Si-doped AlGaN

I. Prozheev, F. Mehnke, T. Wernicke, M. Kneissl, F. Tuomisto

Tutkimustuotos: ArtikkelijulkaisuArtikkeliTieteellinenvertaisarvioitu

Alkuperäiskielienglanti
Artikkeli142103
LehtiApplied Physics Letters
Vuosikerta117
Numero14
Sivumäärä5
ISSN0003-6951
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 5 lokak. 2020
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä, vertaisarvioitu

Tieteenalat

  • 114 Fysiikka

Siteeraa tätä