In-grown and irradiation-induced Al and N vacancies in 100 keV H+ implanted AlN single crystals

Tutkimustuotos: ArtikkelijulkaisuArtikkeliTieteellinenvertaisarvioitu

Alkuperäiskielienglanti
Artikkeli071001
LehtiJapanese journal of applied physics part 1-Regular papers short notes & review papers
Vuosikerta63
Numero7
Sivumäärä6
ISSN0021-4922
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 1 heinäk. 2024
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä, vertaisarvioitu

Tieteenalat

  • 114 Fysiikka
  • 221 Nanoteknologia
  • 216 Materiaalitekniikka

Siteeraa tätä