Microstructural and electrical properties of gadolinium doped ceria thin films prepared by atomic layer deposition (ALD)

E. Gourba, A Ringuedé, M. Cassir, J. Päiväsaari, J. Niinistö, M. Putkonen, Lauri Niinistö

Tutkimustuotos: Kirja/raportti › Tutkimusraportti

Alkuperäiskieli	englanti

Tila	Julkaistu - 2003
Julkaistu ulkoisesti	Kyllä
OKM-julkaisutyyppi	D4 Julkaistu kehittämis- tai tutkimusraportti taikka -selvitys

HelsinkiALD
Putkonen, M. (Johtaja), Ritala, M. (Johtaja), Mäntymäki, M. (Operaattori), Kemell, M. (Operaattori), Vehkamäki, M. (Operaattori) & Heikkilä, M. (Operaattori)
Kemian osasto
Laitteistot/tilat: Tutkimuslaboratorio

Siteeraa tätä

TY - BOOK

T1 - Microstructural and electrical properties of gadolinium doped ceria thin films prepared by atomic layer deposition (ALD)

AU - Gourba, E.

AU - Ringuedé, A

AU - Cassir, M.

AU - Päiväsaari, J.

AU - Niinistö, J.

AU - Putkonen, M.

AU - Niinistö, Lauri

PY - 2003

Y1 - 2003

M3 - Commissioned report

BT - Microstructural and electrical properties of gadolinium doped ceria thin films prepared by atomic layer deposition (ALD)

ER -