Self-assembled octadecyltrimethoxysilane monolayers enabling selective-area atomic layer deposition of iridium

    Tutkimustuotos: ArtikkelijulkaisuArtikkeliTieteellinenvertaisarvioitu

    Abstrakti

    A preparation method for octadecyltrimethoxysilane (ODS) self-assembled monolayers (SAMs) that enables the selective-area ALD of iridium is studied using an ALD process for iridium at 225 degrees C. ODS SAMs were prepared from the gas phase by two preparation methods: either with exposure to ODS only, or with alternate exposures to ODS and water. SAMs were patterned with a lift-off process using aluminium as a mask layer.
    Alkuperäiskielienglanti
    LehtiChemical Vapor Deposition
    Vuosikerta12
    Numero7
    Sivut415-417
    Sivumäärä3
    ISSN0948-1907
    DOI - pysyväislinkit
    TilaJulkaistu - 2006
    OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä, vertaisarvioitu

    Tieteenalat

    • 116 Kemia

    Siteeraa tätä