Simulation Study of Al Channeling in 4H-SiC

Gerhard Hobler, Kai Nordlund, Michael Current, Werner Schustereder

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/raportissa/konferenssijulkaisussaKonferenssiartikkeliTieteellinenvertaisarvioitu

Alkuperäiskielienglanti
OtsikkoIIT 2018 Proceedings
ToimittajatVolker Häublein, Heiner Ryssel
KustantajaIEEE
Julkaisupäivä2018
Sivut247-250
ISBN (painettu)978-1-5386-6829-0
TilaJulkaistu - 2018
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa
Tapahtuma International Conference on Ion Implantation Technology - Congress Centrum Würzburg, Würzburg, Saksa
Kesto: 16 syyskuuta 201821 syyskuuta 2018
Konferenssinumero: 22nd
https://www.iit2018.org/

Tieteenalat

  • 114 Fysiikka

Siteeraa tätä