Simulation Study of Al Channeling in 4H-SiC

Gerhard Hobler, Kai Nordlund, Michael Current, Werner Schustereder

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/raportissa/konferenssijulkaisussa › Konferenssiartikkeli › Tieteellinen › vertaisarvioitu

Alkuperäiskieli	englanti
Otsikko	IIT 2018 Proceedings
Toimittajat	Volker Häublein, Heiner Ryssel
Kustantaja	IEEE
Julkaisupäivä	2018
Sivut	247-250
ISBN (painettu)	978-1-5386-6829-0
Tila	Julkaistu - 2018
OKM-julkaisutyyppi	A4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa
Tapahtuma	International Conference on Ion Implantation Technology - Congress Centrum Würzburg, Würzburg, Saksa Kesto: 16 syyskuuta 2018 → 21 syyskuuta 2018 Konferenssinumero: 22nd https://www.iit2018.org/

Tieteenalat

@inproceedings{935e2b4f68ff44028fe8f10a740469cd,

title = "Simulation Study of Al Channeling in 4H-SiC",

keywords = "114 Physical sciences",

author = "Gerhard Hobler and Kai Nordlund and Michael Current and Werner Schustereder",

year = "2018",

language = "English",

isbn = "978-1-5386-6829-0",

pages = "247--250",

editor = "{ H{\"a}ublein}, {Volker } and Ryssel, {Heiner }",

booktitle = "IIT 2018 Proceedings",

publisher = "IEEE",

address = "United States",

note = " International Conference on Ion Implantation Technology , IIT 2018 ; Conference date: 16-09-2018 Through 21-09-2018",

url = "https://www.iit2018.org/",

}

TY - GEN

T1 - Simulation Study of Al Channeling in 4H-SiC

AU - Hobler, Gerhard

AU - Nordlund, Kai

AU - Current, Michael

AU - Schustereder, Werner

N1 - Conference code: 22nd

PY - 2018

Y1 - 2018

KW - 114 Physical sciences

M3 - Conference contribution

SN - 978-1-5386-6829-0

SP - 247

EP - 250

BT - IIT 2018 Proceedings

A2 - Häublein, Volker

A2 - Ryssel, Heiner

PB - IEEE

T2 - International Conference on Ion Implantation Technology

Y2 - 16 September 2018 through 21 September 2018

ER -