Simulations of ion-beam induced atom-mixing over Si/SiO2 interfaces for preparation of concentration profiles

Tutkimustuotos: KonferenssimateriaalitPosteri

Alkuperäiskielienglanti
TilaJulkaistu - 24 maaliskuuta 2017
TapahtumaPhysics Days 2017 - Helsinki, Suomi
Kesto: 22 maaliskuuta 201724 maaliskuuta 2017

Konferenssi

KonferenssiPhysics Days 2017
MaaSuomi
KaupunkiHelsinki
Ajanjakso22/03/201724/03/2017

Tieteenalat

  • 114 Fysiikka

Siteeraa tätä