Single-parameter model for the post-breakdown conduction characteristics of HoTiOx-based MIM capacitors

J. Blasco, H. Castan, H. Garcia, S. Duenas, J. Sune, M. Kemell, K. Kukli, M. Ritala, M. Leskelä, E. Miranda

Tutkimustuotos: ArtikkelijulkaisuKonferenssiartikkeliTieteellinenvertaisarvioitu

Alkuperäiskielienglanti
LehtiMicroelectronics Reliability
Vuosikerta54
Numero9-10
Sivut1707-1711
Sivumäärä5
ISSN0026-2714
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2014
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa
TapahtumaEuropean Symposium on the Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF) - Berlin, Saksa
Kesto: 29 syyskuuta 20142 lokakuuta 2014
Konferenssinumero: 25

Lisätietoja


Volume: 54
Proceeding volume:

Tieteenalat

  • 116 Kemia
  • 114 Fysiikka

Siteeraa tätä