Study of the influence of the dielectric composition of Al/Ti/ZrO2:Al2O3/TiN/Si/Al structures on the resistive switching behavior for memory applications

H. Castán, S. Dueñas, K. Kukli, M. Kemell, M. Ritala, M. Leskelä

Tutkimustuotos: ArtikkelijulkaisuKonferenssiartikkeliTieteellinenvertaisarvioitu

Abstrakti

The memory behavior of Al/Ti/ZrO2:Al2O3/TiN/Si/Al devices is investigated in this work. They are adequate to be used as resistive switching memories, with two clearly different states. Besides, intermediate states are also accessible in a controllable manner. The electrical characterization in terms of admittance parameters provides relevant complementary information. The cation ratio influences the memory maps and can be changed to obtain specifically sized shape of the maps. © The Electrochemical Society.
Alkuperäiskielienglanti
LehtiECS transactions
Vuosikerta85
Numero8
Sivut143-148
Sivumäärä6
ISSN1938-5862
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2018
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa
TapahtumaECS Meeting: Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices 18 - Seattle, Yhdysvallat (USA)
Kesto: 13 toukokuuta 201817 toukokuuta 2018
Konferenssinumero: 233
https://www.electrochem.org/233

Tieteenalat

  • 116 Kemia

Siteeraa tätä