Forskningsresultat per år
Forskningsresultat per år
Publikationer
- 10 Artikel
- 10 resultat
Sökresultat
-
2025
Submicron Embedded Air/GaN Diffraction Gratings for Photonic Applications
Gołyga, O., Muziol, G., Feduniewicz-Żmuda, A., Siekacz, M., Turski, H., Sochacki, T., Słowikowski, M., Prozheev, I., Tuomisto, F., Pruszyńska-Karbownik, E., Fąs, T., Suffczyński, J., Skierbiszewski, C. & Sawicka, M., mars 2025, I: Advanced electronic materials. 11, 3, 9 s., 2400365.Forskningsoutput: Tidskriftsbidrag › Artikel › Vetenskaplig › Peer review
Öppen tillgångFil -
2024
Defects in layered boron nitride grown by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy: luminescence and positron annihilation studies
Dąbrowska, A. K., Binder, J., Prozheev, I., Tuomisto, F., Iwański, J., Tokarczyk, M., Korona, K. P., Kowalski, G., Stępniewski, R. & Wysmołek, A., maj 2024, I: Journal of Luminescence. 269, 11 s., 120486.Forskningsoutput: Tidskriftsbidrag › Artikel › Vetenskaplig › Peer review
Öppen tillgångFil -
In-grown and irradiation-induced Al and N vacancies in 100 keV H+ implanted AlN single crystals
Prozheev, I., Heikkinen, T. N. P., Makkonen, I., Mizohata, K. & Tuomisto, F., 1 juli 2024, I: Japanese journal of applied physics part 1-Regular papers short notes & review papers. 63, 7, 6 s., 071001.Forskningsoutput: Tidskriftsbidrag › Artikel › Vetenskaplig › Peer review
Öppen tillgångFil -
Refinement of the uranium dispersion corrections from anomalous diffraction
Leinders, G., Grendal, O. G., Arts, I., Bes, R., Prozheev, I., Orlat, S., Fitch, A., Kvashnina, K. & Verwerft, M., apr. 2024, I: Journal of Applied Crystallography. 57, s. 284-295 12 s.Forskningsoutput: Tidskriftsbidrag › Artikel › Vetenskaplig › Peer review
-
2023
Effect of atomic layer annealing in plasma-enhanced atomic layer deposition of aluminum nitride on silicon
Seppänen, H., Prozheev, I., Kauppinen, C., Suihkonen, S., Mizohata, K. & Lipsanen, H., sep. 2023, I: Journal of Vacuum Science Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 41, 5, 7 s., 052401.Forskningsoutput: Tidskriftsbidrag › Artikel › Vetenskaplig › Peer review
Öppen tillgångFil -
Europium diffusion in ammonothermal gallium nitride
Jaroszynska, A., Grzanka, E., Grabowski, M., Staszczak, G., Prozheev, I., Jakiela, R., Tuomisto, F. & Bockowski, M., 15 juli 2023, I: Applied Surface Science. 625, 10 s., 157188.Forskningsoutput: Tidskriftsbidrag › Artikel › Vetenskaplig › Peer review
Öppen tillgångFil -
Fabrication of GaN-air channels for embedded photonic structures
Sawicka, M., Golyga, O., Fiuczek, N., Muziol, G., Feduniewicz-Zmuda, A., Siekacz, M., Turski, H., Czernecki, R., Grzanka, E., Prozheev, I., Tuomisto, F. & Skierbiszewski, C., 1 mars 2023, I: Materials Science in Semiconductor Processing. 155, 6 s., 107234.Forskningsoutput: Tidskriftsbidrag › Artikel › Vetenskaplig › Peer review
Öppen tillgångFil -
Origins of Electrical Compensation in Si-Doped HVPE GaN
Prozheev, I., Iwinska, M., Sochacki, T., Bockowski, M., Bès, R. & Tuomisto, F., aug. 2023, I: Physica Status Solidi. B: Basic Research. 260, 8, 6 s., 2200568.Forskningsoutput: Tidskriftsbidrag › Artikel › Vetenskaplig › Peer review
Öppen tillgångFil -
2021
Growth of highly conductive Al-rich AlGaN:Si with low group-III vacancy concentration
Almogbel, A. S., Zollner, C. J., Saifaddin, B. K., Iza, M., Wang, J., Yao, Y., Wang, M., Foronda, H., Prozheev, I., Tuomisto, F., Albadri, A., Nakamura, S., DenBaars, S. P. & Speck, J. S., 1 sep. 2021, I: AIP Advances. 11, 9, 8 s., 095119.Forskningsoutput: Tidskriftsbidrag › Artikel › Vetenskaplig › Peer review
Öppen tillgångFil -
2020
Electrical compensation and cation vacancies in Al rich Si-doped AlGaN
Prozheev, I., Mehnke, F., Wernicke, T., Kneissl, M. & Tuomisto, F., 5 okt. 2020, I: Applied Physics Letters. 117, 14, 5 s., 142103.Forskningsoutput: Tidskriftsbidrag › Artikel › Vetenskaplig › Peer review
Öppen tillgångFil