Återgå till huvudnavigering Återgå till sök Gå direkt till huvudinnehållet

Atomic layer deposition of high-permittivity yttrium-doped HfO₂ films

Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikelVetenskapligPeer review

Originalspråkengelska
TidskriftElectrochemical and Solid-State Letters
Volym12
Nummer1
Sidor (från-till)G1-G4
ISSN1099-0062
StatusPublicerad - 2009
MoE-publikationstypA1 Tidskriftsartikel-refererad

Vetenskapsgrenar

  • 116 Kemi

Citera det här