Atomistic two-temperature modelling of ion track formation in silicon dioxide

Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikelVetenskapligPeer review

Originalspråkengelska
Artikelnummer16004
TidskriftEurophysics Letters
Volym110
Utgåva1
Antal sidor5
ISSN0295-5075
DOI
StatusPublicerad - apr 2015
MoE-publikationstypA1 Tidskriftsartikel-refererad

Vetenskapsgrenar

  • 114 Fysik

Citera det här