Ionization-induced annealing of pre-existing defects in silicon carbide

Yanwen Zhang, Ritesh Sachan, Olli H. Pakarinen, Matthew F. Chisholm, Peng Liu, Haizhou Xue, William J. Weber

Forskningsoutput: TidskriftsbidragArtikelVetenskapligPeer review

Originalspråkengelska
Artikelnummer8049
TidskriftNature Communications
Volym6
Antal sidor7
ISSN2041-1723
DOI
StatusPublicerad - 12 aug. 2015
MoE-publikationstypA1 Tidskriftsartikel-refererad

Vetenskapsgrenar

  • 114 Fysik

Citera det här