Simulation Study of Al Channeling in 4H-SiC

Gerhard Hobler, Kai Nordlund, Michael Current, Werner Schustereder

Forskningsoutput: Kapitel i bok/rapport/konferenshandlingKonferensbidragVetenskapligPeer review

Originalspråkengelska
Titel på gästpublikationIIT 2018 Proceedings
RedaktörerVolker Häublein, Heiner Ryssel
FörlagIEEE
Utgivningsdatum2018
Sidor247-250
ISBN (tryckt)978-1-5386-6829-0
StatusPublicerad - 2018
MoE-publikationstypA4 Artikel i en konferenspublikation
Evenemang International Conference on Ion Implantation Technology - Congress Centrum Würzburg, Würzburg, Tyskland
Varaktighet: 16 sep 201821 sep 2018
Konferensnummer: 22nd
https://www.iit2018.org/

Vetenskapsgrenar

  • 114 Fysik

Citera det här