Single-parameter model for the post-breakdown conduction characteristics of HoTiOx-based MIM capacitors

J. Blasco, H. Castan, H. Garcia, S. Duenas, J. Sune, M. Kemell, K. Kukli, M. Ritala, M. Leskelä, E. Miranda

Forskningsoutput: TidskriftsbidragKonferensartikelVetenskapligPeer review

Originalspråkengelska
TidskriftMicroelectronics Reliability
Volym54
Nummer9-10
Sidor (från-till)1707-1711
Antal sidor5
ISSN0026-2714
DOI
StatusPublicerad - 2014
MoE-publikationstypA4 Artikel i en konferenspublikation
EvenemangEuropean Symposium on the Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF) - Berlin, Tyskland
Varaktighet: 29 sep. 20142 okt. 2014
Konferensnummer: 25

Vetenskapsgrenar

  • 116 Kemi
  • 114 Fysik

Citera det här